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MRFG35010AR1
1
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Gallium Arsenide PHEMT
RF Power Field Effect Transistor
Designed for WiMAX, WLL/MMDS or UMTS driver and final applications.
Characterized from 500 to 5000 MHz. Device is unmatched and is suitable for
use in Class AB or Class A linear base station applications.
?
Typical Single-Carrier W-CDMA Performance: VDD
= 12 Volts, I
DQ
=
140 mA, Pout
= 1 Watt Avg., f = 3550 MHz, Channel Bandwidth =
3.84 MHz, PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF.
Power Gain ?10 dB
Drain Efficiency ? 25%
ACPR @ 5 MHz Offset ? -43 dBc in 3.84 MHz Channel Bandwidth
?
10 Watts P1dB @ 3550 MHz, CW
?
Excellent Phase Linearity and Group Delay Characteristics
?
High Gain, High Efficiency and High Linearity
?
RoHS Compliant
?
In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 32 mm, 13 inch Reel.
Table 1. Maximum Ratings
Rating
Symbol
Value
Unit
Drain-Source Voltage
VDSS
15
Vdc
Gate-Source Voltage
VGS
-5
Vdc
RF Input Power
Pin
33
dBm
Storage Temperature Range
Tstg
-65 to +150
°C
Channel Temperature (1)
Tch
175
°C
Table 2. Thermal Characteristics
Characteristic
Symbol
Value (1,
2)
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
Case Temperature 81°C, 10 W CW Class AB
Case Temperature 79°C, 1 W CW Class A
RθJC
4.0
4.1
°C/W
Table 3. ESD Protection Characteristics
Test Methodology
Class
Human Body Model (per JESD22-A114)
1C (Minimum)
Machine Model (per EIA/JESD22-A115)
A (Minimum)
Charge Device Model (per JESD22-C101)
III (Minimum)
1. For reliable operation, the operating channel temperature should not exceed 150°C.
2. Refer to AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.freescale.com/rf.
Select Documentation/Application Notes - AN1955.
Document Number: MRFG35010A
Rev. 2, 12/2008
Freescale Semiconductor
Technical Data
3.5 GHz, 10 W, 12 V
POWER FET
GaAs PHEMT
CASE 360D-02, STYLE 1
NI-360HF
MRFG35010AR1
?
Freescale Semiconductor, Inc., 2006, 2008. All rights reserved.
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